特許
J-GLOBAL ID：200903005496562922
平坦化絶縁膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246051
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111395
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 フッ素を含む酸化シリコン膜で構成される平坦化絶縁膜を形成する。【構成】 第1工程では、凹凸形状を有するウエハ10の上面にフッ素を含む酸化シリコン膜15を成膜する。次にこの上面に、酸化シリコン膜16を成膜してフッ化酸化シリコン膜15上に形成された凹凸形状を埋め込む。第2工程では、化学的機械研磨法によって酸化シリコン膜16のみを研磨してその表面を平坦化する。これによって、CMPの際に研磨面上の研磨液のpHを変化させることなく研磨を行い、研磨速度を確保する。
請求項（抜粋）：
凹凸形状を有するウエハの上面にフッ素を含む酸化シリコン膜を成膜し、さらに当該フッ素を含む酸化シリコン膜上に形成された凹凸形状を埋め込む状態で酸化シリコン膜を成膜する第1工程と、化学的機械研磨法によって前記酸化シリコン膜を研磨し、当該酸化シリコン膜の表面を平坦化する第2工程とを行うことを特徴とする平坦化絶縁膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/306
, H01L 21/316
