特許

J-GLOBAL ID：200903005506782373

単一電子及び原子核スピン計測用電子装置

発明者： カン ブルース
出願人/特許権者： ユニサーチ・リミテッド
代理人 (1件)： 相田 伸二 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-512096
公開番号（公開出願番号）：特表2001-516962
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】単一スピン計測用電子装置は、少なくとも1つのドナー原子を導入して、該ドナー原子の原子核において大きな電子波作用を有するドナー原子核スピン電子システムを形成した半導体基層と、前記基層上の絶縁層と、前記ドナー原子上方で前記絶縁層上に設けられ、前記ドナーにおける拘束電子状態のエネルギーを制御する第1の導電ゲートと、前記第1のゲートに隣接して前記絶縁層上に設けられ、前記基層において少なくとも1つの付加電子を発生させる第2の導電ゲートと、を備えている。使用時に、単一電子が前記ドナーに拘束され、前記ドナー原子が前記基層における付加電子に弱く結合される。前記ゲートがバイアスされることで、前記電子及び前記ドナー電子又は原子核のスピンが移動を許可する関係にある場合にのみ、前記基層における前記付加電子が前記ドナーの方に移動するようになっている。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのドナー原子を導入して、該ドナー原子の原子核において大きな電子波作用を有するドナー原子核スピン電子システムを形成した半導体基層と、 前記基層上の絶縁層と、 前記ドナー原子上方で前記絶縁層上に設けられ、前記ドナーにおける拘束電子状態のエネルギーを制御する第1の導電ゲートと、 前記第1のゲートに隣接して前記絶縁層上に設けられ、前記基層において少なくとも1つの電子を発生させる第2の導電ゲートと、を備え、 使用時に、単一電子が前記ドナーに拘束され、前記ドナー原子が前記基層における少なくとも1つの電子に弱く結合され、前記ゲートがバイアスされることで、前記少なくとも1つの電子及び前記ドナーのスピンが電子の移動を許す関係にある場合にのみ、前記基層における前記少なくとも1つの電子が前記ドナーの方に移動するようになっており、 該装置における電流の検出又は単一電子の移動により、単一スピンの計測が行われる、単一スピン計測用電子装置。

IPC (3件)：

H01L 29/66 ,  G01N 24/00 ,  G06F 7/00

FI (3件)：

H01L 29/66 ,  G01N 24/00 D ,  G06F 7/00

Fターム (5件)：

5B022AA00 ,  5B022BA00 ,  5B022FA01 ,  5B022FA09 ,  5B022FA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁場検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-122300   出願人：日本電気株式会社