ZnSeを主成分としたpn接合の製造方法並びにpn接合デバイスの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-024999
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224473
出願日： 1993年01月21日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 p形,n形層がそれぞれ均一なキャリア密度分布を持つ良好な結晶性のデバイス構造となり、青色発光ダイオードなどを液相成長で製作する場合に最も高効率のダイオードの製作が可能な、工業的価値の高い、ZnSeを主成分としたpn接合の製造方法並びにpn接合デバイスの製造方法を提供する。【構成】 ZnSeを主成分とする単結晶基板3上に、低抵抗のp形層1とn形層2を、Seを溶媒主成分とした蒸気圧制御温度差法を用いたエピタキシャル成長によって形成し、pn接合とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ZnSeを主成分とする単結晶基板上に、低抵抗のp形層とn形層を、Seを溶媒主成分とした蒸気圧制御温度差法を用いたエピタキシャル成長によって形成し、pn接合を形成することを特徴とする、ZnSeを主成分としたpn接合の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-058606
表面実装用の多段型水晶フィルタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-342015 出願人：日本電波工業株式会社
回路組立体
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-115036 出願人：テクノフォーンリミテッド

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