特許

J-GLOBAL ID：200903005508340700

半導体集積回路の配線構造およびその製造方法

発明者： 林 喜宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-131615
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284495
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 極微細の半導体素子を接続する金属配線の幅あるいはピッチの減少に伴って顕在化してくる金属配線の配線間容量の増大を解決する配線構造とその製造方法を提供する。【解決手段】 薄い導電性硬質膜5で全表面が覆われた金属配線15を、低誘電体有機物よりなる側壁膜のある溝に埋め込んで配線間の距離を増大させて配線間容量を低減させ、さらに下層配線15の幅よりも大きなスルーホール16を形成することで、下層配線15の上面と側面とで上層配線19と接続することで多層配線間の縦接続抵抗を低減させている多層配線構造である。

請求項（抜粋）：

絶縁膜に形成された溝に低誘電体有機物よりなる絶縁性側壁膜がCVD法によって形成され、前記溝にさらに金属が埋め込まれてることを特徴とする配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-198327
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-324155   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-028232