特許

J-GLOBAL ID：200903005526823874

プラズマCVDによる薄膜形成方法とプラズマCVD装置

発明者： 水野 茂 ,  佐藤 誠 ,  佐藤 英樹
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230007
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058484
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 TiCl4 を原料としたプラズマCVDでチタン膜とチタンシリサイド膜を形成するとき、段差被覆性が良くかつ下地Si層の浸食を抑制し、信頼性の高い素子を製造する薄膜形成方法とプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 基板26を配置した容器11内に四塩化チタンと水素を導入してプラズマを生成し、基板上にチタン膜びチタンシリサイド膜を形成する方法であり、チタン膜およびチタンシリサイド膜を形成する薄膜形成工程は、容器内に水素を導入してプラズマを生成する第1ステップ41と、水素によるプラズマ中に四塩化チタンを所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入し、その後一定流量で流し、基板の絶縁膜表面上にチタン膜を形成し、かつ基板のシリコン露出部分にはチタンシリサイド膜を形成する第2ステップ42とからなる。

請求項（抜粋）：

基板を配置した容器内に四塩化チタンおよび水素を導入してプラズマを生成し、前記基板上にチタン膜およびチタンシリサイド膜を形成するプラズマCVDによる薄膜形成方法において、前記チタン膜および前記チタンシリサイド膜を形成する薄膜形成工程は、前記容器内に水素を導入してプラズマを生成する第1工程と、水素によるプラズマ中に四塩化チタンを所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入し、その後一定流量で流し、前記基板の絶縁膜表面上にチタン膜を形成し、かつ前記基板のシリコン露出部分にはチタンシリサイド膜を形成する第2工程とからなることを特徴とするプラズマCVDによる薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/50

FI (3件)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 301 T ,  C23C 16/50

Fターム (20件)：

4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA48 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  4K030JA05 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF16 ,  4M104HH04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高融点金属薄膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-323187   出願人：ソニー株式会社
• プラズマCVDによる薄膜形成方法およびプラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-168180   出願人：アネルバ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-084227   出願人：日本電気株式会社