特許

J-GLOBAL ID：200903005541629340

ウェーハレベルハーメチックシーリング方法

発明者： 趙 壮鎬 ,  慎 ▲ヒュン▼宰 ,  金 雲培
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-263887
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246489
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 水分や粒子等による影響を排除し、高温に弱かったり熱循環により影響される半導体素子を低温でシーリングできるウェーハレベルハーメチックシーリング方法を提供する。【解決手段】 ウェーハ上に半導体素子を製作する段階と、リッドウェーハを形成する段階と、ウェーハまたはリッドウェーハ上の所定位置にハンダよりなる接合部を形成する段階と、接合部によりウェーハとリッドウェーハとをシーリングする段階と、シーリングしたウェーハレベルの素子をチップ単位にダイシングする段階とを含む。これにより、ウェーハレベルでシーリングして切断するので工程時間が短縮され、MEMSのように動く構造物がある場合に操作しやすいだけでなくハンダにより低温でシーリングするので熱に弱い半導体素子をパッケージングするのに有用である。

請求項（抜粋）：

ウェーハ上に半導体素子を製作する段階と、リッドウェーハを形成する段階と、前記ウェーハまたはリッドウェーハ上の所定位置にハンダよりなる接合部を形成する段階と、前記接合部により前記ウェーハと前記リッドウェーハとをシーリングする段階と、前記シーリングしたウェーハレベルの素子をチップ単位にダイシングする段階とを含むことを特徴とするウェーハレベルハーメチックシーリング方法。

IPC (2件)：

H01L 23/00 ,  H01L 23/14

FI (2件)：

H01L 23/00 C ,  H01L 23/14 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 内部空洞を有する微小構造体の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-109297   出願人：シーピー・クレア・コーポレイション, アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ