特許

J-GLOBAL ID：200903005543656183

半導体素子用導電材料及びスパッタリングターゲット並びにその製造法

発明者： 井上 一吉 ,  海上 暁 ,  松崎 滋夫
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 片岡 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-144810
公開番号（公開出願番号）：特開2001-329327
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2001年11月27日
要約：

【要約】【課題】 電気抵抗が低くかつ安定化され、液晶ディスプレイなどの表示機器の半導体素子における薄膜状の電極や配線用に好適な導電材料と、その導電材料からなるスパッタリングターゲット、および該スパッタリングターゲットの最適な製造法を提供する。【解決手段】アルミニウム95〜99.8原子%と、イリジウム、パラジウムおよび白金から選択される1種または2種以上の金属0.2〜5原子%からなり、かつ紫外光電子分光法により測定した仕事関数が5.0エレクトロンボルト以上の値を有する半導体素子用導電材料と、該導電材料からなるスパッタリングターゲット、および該スパッタリングターゲットの製造法。

請求項（抜粋）：

アルミニウム95〜99.8原子%と、イリジウム、パラジウムおよび白金から選択される1種または2種以上の金属0.2〜5原子%からなり、かつ紫外光電子分光法により測定した仕事関数が5.0エレクトロンボルト以上の値を有する半導体素子用導電材料。

IPC (6件)：

C22C 21/00 ,  C23C 14/34 ,  H01B 1/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (6件)：

C22C 21/00 N ,  C23C 14/34 A ,  H01B 1/02 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 L

Fターム (22件)：

4K029BA23 ,  4K029BD02 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC08 ,  4M104BB02 ,  4M104BB39 ,  4M104DD40 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103LL20 ,  5F103RR05 ,  5G301AA03 ,  5G301AA16 ,  5G301AA17 ,  5G301AB20 ,  5G301AD10 ,  5G301AE10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-184747   出願人：株式会社神戸製鋼所