均一性が向上した堆積ポリシリコン膜と、そのための装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-002157
公開番号（公開出願番号）：特開平6-293595
出願日： 1994年01月13日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】基板上に均一性の向上したポリシリコン膜を堆積するCVDチャンバ、および、ウェーハ間の均一性を高めるCVDチャンバを提供する【構成】互いに係合する延長部(142)および(144)は、延長部間の間隙を通過して、サセプタ(136)の裏面(145)に固体原料を堆積し得る反応ガスを防ぐか、またはその量を大幅に減少できるバリヤ手段 (barrier)を提供する。これにより、裏面(145)への堆積や温度の変動が防止され、より均一なポリシリコン膜が得られる。ウェーハ間の膜厚や膜質の変動も、防止させるか、または減少させることができる。

請求項（抜粋）：

処理されるべき基板のためのサセプタの支持台と、前記サセプタの支持台を包囲するプリヒートリングとを備える化学気相成長チャンバにおいて、反応ガスが前記サセプタの裏面に到達するのを防止するバリヤ手段 (barrier)を備えることを特徴とする化学気相成長チャンバ。

IPC (4件)：

C30B 29/06 504 , C01B 33/02 , C23C 16/24 , H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開平4-030514
特開平4-268724
特開平4-233745

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審査官引用 (3件)

特開平4-030514
特開平4-268724
特開平4-233745

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