特許
J-GLOBAL ID：200903005574536135
半導体基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-179625
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027865
出願日： 1996年07月09日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】所定位置に導体バンプ群を形設した導電性金属箔の主面に合成樹脂系シートを対接させて積層配置し積層体を加圧し、前記合成樹脂系シートの厚さ方向に前記バンプ群をそれぞれ貫挿させて貫通型の導体配線部を形成する第2工程と第1工程でえられた両面銅張り積層板の上下に第2工程で得られた貫通型の導体配線部を有する導電性金属箔を位置合わせをした後に積層する第3工程と第3工程で得られた積層物を温度180°C以上、圧力10kg/cm2以上でプレスする第4工程と第4工程で得られた積層体の導電性金属箔にエッチング処理を施す第5工程を具備して得られることを特徴とする半導体基板。【効果】本方法で多ピンの半導体基板を製造すると、配線の引き回しが有利となり、ファインパターン形成が容易となる。また、多層の製造も容易となる。このため、製品の歩留まり向上に貢献でき、コストダウンにつながる。
請求項（抜粋）：
両面銅張り積層板に穴明けを行い、当該穴内部および導電層表面をメッキし、導電層表面にエッチング処理を施す第1工程と所定位置に導体バンプ群を形設した導電性金属箔の主面に合成樹脂系シートを対接させて積層配置し積層体を加圧し、前記合成樹脂系シートの厚さ方向に前記バンプ群をそれぞれ貫挿させて貫通型の導体配線部を形成する第2工程と第1工程でえられた両面銅張り積層板の上下に第2工程で得られた貫通型の導体配線部を有する導電性金属箔を位置合わせをした後に積層する第3工程と第3工程で得られた積層物を温度180°C以上、圧力10kg/cm2以上でプレスする第4工程と第4工程で得られた積層体の導電性金属箔にエッチング処理を施す第5工程を具備して得られることを特徴とする半導体基板。
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 23/12 N
