特許

J-GLOBAL ID：200903005608999032

半導体発光素子

発明者： 花岡 大介 ,  伊藤 茂稔
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112977
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148540
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 III-V族窒化物系化合物半導体装置において、良好な活性層を維持したまま、積層構造を作製し、光の閉じ込め、光の分布を十分に良くすることにより、低しきい値電流密度でのレーザ発振の達成、更には、長寿命、ビーム形状の改善といった良好な特性を持つIII-V族窒化物系化合物半導体装置を歩留り良く作製し得る。【解決手段】 光の閉じ込め、光の分布を十分に良くするために設置する発光を吸収する層として、発光波長に対する光吸収係数が大きくない層を用いて、制御性良く作製することにより、良好な特性を持つ半導体発光素子を歩留り良く作製し、上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

活性層と、活性層で発光した光を閉じ込めるための、活性層を挟む形で存在するクラッド層を有するIII-V族窒化物系化合物半導体発光素子において、クラッド層の活性層に対して外側に活性層で発光した光を吸収することのできる光吸収層を有する半導体発光素子において、活性層で発せられた光の波長に対するその光吸収層の光吸収係数が10cm-1以上104cm-1以下であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/22 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (3件)：

H01S 5/22 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

Fターム (26件)：

5F041AA05 ,  5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA74 ,  5F041CB36 ,  5F041FF16 ,  5F073AA07 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073EA18 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-039646   出願人：株式会社東芝
• 特開平1-214191