特許

J-GLOBAL ID：200903082926911580

半導体発光装置

発明者： 大場 康夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039646
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232685
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】低雑音で安定な横モードを備え、かつ長寿命の連続動作が可能な、青色から近紫外の波長領域のGaN系のLD、及び同じ波長領域のGaN系の高輝度、長寿命なLEDを実現すること。【解決手段】高濃度の不純物添加により比抵抗を大幅に低減したBP、GaN又はSiCをコンタクト層として用いること、またこれらの材料を電流阻止層として用いることにより、電流阻止機能と同時に横モード制御機能を有する低雑音で高密度な光読みだしが可能なLD、及び高輝度青色LEDを得ることができる。

請求項（抜粋）：

Alx GaIn1-x-y N(0≦x+y≦1、0≦x、y≦1)から構成された、第1導電形の第1閉じ込め層と、発光層と、第2導電形の第2閉じ込め層から成るダブルヘテロ接合構造部とを有し、このダブルヘテロ構造部と前記ダブルヘテロ接合構造部に動作電流を供給する電極面との間に、BP又はGaN又はSiCより成るコンタクト層が形成されたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-288388
  
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-038561   出願人：三洋電機株式会社