特許

J-GLOBAL ID：200903005630224192

原子核スピン状態制御装置及び検出装置

発明者： 遊佐 剛 ,  平山 祥郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-246752
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066603
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】原子核スピンをナノメートルの領域で制御する。【解決手段】2つのノンドープ層5,6に挟まれた二次元電子ガス層8と、ノンドープ層5の表面に二次元電子ガス層8にナノ領域を形成可能な間隔で配置された一対のショットキースプリットゲート3,4とを半導体素子に備え、この半導体素子に磁場を印加し、ショットキースプリットゲート3,4に負バイアスを印加することで、二次元電子ガス層8に無偏極状態と偏極状態の電子スピンが共存するナノ領域を形成させ、無偏極状態と偏極状態の電子スピンに跨って電流を流すことで原子核のスピン状態を反転させ、原子核スピンの制御を可能にする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

二次元電子ガス層を形成可能な層構造、前記二次元電子ガス層にナノ領域を形成可能な間隔で前記層構造に配置された一対のショットキースプリットゲートを備えた半導体素子と、 前記半導体素子に磁場を印加し、前記一対のショットキースプリットゲートに負バイアスを印加することで前記二次元電子ガス層に無偏極状態と偏極状態の電子スピンが共存するナノ領域を形成させ、無偏極状態と偏極状態の電子スピンに跨って電流を流すことで原子核のスピン状態を偏極させる制御手段と、 を有することを特徴とする原子核スピン状態制御装置。

IPC (4件)：

H01L 29/66 ,  G01N 24/10 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/80

FI (4件)：

H01L29/66 M ,  G01N24/10 510S ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/80 Z

Fターム (16件)：

2G088EE30 ,  2G088FF20 ,  2G088GG21 ,  5F102FB06 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL05 ,  5F102GL20 ,  5F102GM05 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 分数量子ホールデバイスにおける電子・核スピンを用いたナノ領域での核スピンのコヒーレント制御