特許

J-GLOBAL ID：200903005656275992

バルク酸化物超電導体の作製方法

発明者： 小城 宏樹 ,  坂井 直道 ,  村上 雅人
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065900
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255334
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】 超電導体中に分散した第2相(常電導体)を微細化して、超電導特性を改良する。【解決手段】 半溶融法(メルトプロセス法)でREBa2Cu3O7-x(xは欠損失量、REは希土類元素)系の超電導体を作製する酸化物超電導体はバルクの作製方法であって、前記予め結晶化したREBa2Cu3O7-x系の超電導体の粉末と、RE2BaCuO5もしくはRE4Ba2Cu2O5系の第2相常電導体の粒径を可能な限り小さい径にした粉末を出発原料として用いたものである。

請求項（抜粋）：

半溶融法(メルトプロセス法:Melt process法)でREBa2Cu3O7-x(xは欠損量、REは希土類元素)系のバルク超電導体を作製するバルク酸化物超電導体の作製方法であって、前記予め結晶化したREBa2Cu3O7-x系の超電導体の粉末と、RE2BaCuO5もしくはRE4Ba2Cu2O5系の第2相常電導体の粒径を可能な限り小さい径にした粉末を出発原料として用いたことを特徴とするバルク酸化物超電導体の作製方法。

IPC (5件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (5件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 B ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 大型超電導バルク材の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-006261   出願人：三菱重工業株式会社
• ネオジム系酸化物超電導成形体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-128667   出願人：株式会社イムラ材料開発研究所
• 酸化物超電導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-302880   出願人：中部電力株式会社
• 特開平3-252348