半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-200473
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122750
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】チップ面積の縮小が可能であり、しかも、ドレイン容量及び接地インダクタンスの低減により電力利得が改善された高性能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】不純物濃度の高い第1の半導体領域1aと、第1の半導体層1a上に形成された不純物濃度の低い第2の半導体領域1bと、第2の半導体領域1bの表面に形成されたソース領域(第3の半導体領域)5およびドレイン領域(第4の半導体領域)4と、ソース領域とドレイン領域の間に形成された埋め込み領域(第5の半導体領域)1Cと、ドレイン領域の下部に局所的に形成された絶縁物層9と、第2の半導体領域の表面から第1の半導体領域に達する高導電性領域10とを有して構成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型高不純物密度の第1の半導体領域と、該第1の半導体領域の上部に形成された、第1導電型で該第1の半導体領域よりも低不純物密度の第2の半導体領域と、該第2の半導体領域の上部に形成された、それぞれ第1および第2の主電極領域となる第2導電型高不純物密度の第3および第4の半導体領域と、該第4の半導体領域の下部に局所的に形成された絶縁物層と、該第1および第2の主電極領域間を流れる電流を制御する絶縁ゲート手段と、該絶縁ゲート手段近傍の該第2の半導体領域の表面近傍に形成された第1導電型高不純物密度の第5の半導体領域とを少なく共具備することを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 321 S , H01L 29/78 321 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-018762
特開平2-174128
MOSFET及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-176026 出願人：ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド

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