半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280129
公開番号（公開出願番号）：特開平6-131869
出願日： 1992年10月19日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】内部回路の動作に伴って起こる内部電源電圧のレベル低下を軽減し、動作スピードの遅延や動作マージンの低下のない半導体装置を提供する。【構成】外部電源電圧から内部降圧された内部電源電圧で動作する内部回路40を有する半導体装置に、内部回路40で発生される活性化信号(CLKi)を入力としレベル変換するレベル変換回路50と、この出力をワンショットパルス化するワンショットパルス発生回路60とを設け、これらにより内部降圧手段を制御する構成とした。

請求項（抜粋）：

基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、外部から供給される外部供給電源電圧を降圧して内部電源電圧を発生する内部降圧手段と、前記基準電圧と前記内部電源電圧とを比較した結果に応答して前記内部降圧手段を制御する第1の制御手段と、前記内部電源電圧により動作する内部回路とを備えた半導体装置において、前記内部回路において発生される活性化信号に応答して前記内部降圧手段を制御する第2の制御手段を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 , G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 335 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

内部電源電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-009403 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-228285
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-172734 出願人：株式会社東芝

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