特許
J-GLOBAL ID：200903005686486092

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

発明者：
武智 敏

武智 敏 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-162398
公開番号（公開出願番号）：特開平11-352694
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 ドライエッチング耐性や感度の低下を引き起こすことなく密着性を改善できる化学増幅型レジスト材料を提供すること。【解決手段】 保護基により保護されたアルカリ可溶性基を含有しかつ前記アルカリ可溶性基が酸により脱離して当該重合体をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を有する酸感応性重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなる化学増幅型レジスト材料において、前記酸感応性重合体の保護基が少なくとも1個の自体脱離能を有するニトリル基を含有する部分を有しているように構成する。
請求項（抜粋）：
保護基により保護されたアルカリ可溶性基を含有しかつ前記アルカリ可溶性基が酸により脱離して当該重合体をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を有する酸感応性重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなる化学増幅型レジスト材料であって、前記酸感応性重合体の保護基が少なくとも1個の自体脱離能を有するニトリル基を含有する部分を有していることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/34
FI (3件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 20/34 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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