特許

J-GLOBAL ID：200903005712408380

強誘電性高分子膜の製造方法

発明者： 大東 弘二
出願人/特許権者： 山形大学長
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273145
公開番号（公開出願番号）：特開2003-080593
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】 フッ化ビニリデンと、トリフルオロエチレン又はテトラフルオロレチレンとの共重合体からなる強誘電性高分子膜のヤング率のさらなる向上を可能とする新規な製造方法を提供する。【解決手段】 フッ化ビニリデンと、トリフルオロエチレン又はテトラフルオロレチレンとの共重合体薄膜を一軸延伸して一軸延伸膜を形成する。次いで、この一軸延伸膜を構成する前記共重合体のキュリー温度以上融点以下の温度で、前記一軸延伸膜に対して5時間以上の熱処理又は加圧下で熱処理を行ない、前記一軸延伸膜を構成する前記共重合体の分子鎖を、その配向方向に拡散移動させて、前記分子鎖の絡み合いを実質的に除去する。

請求項（抜粋）：

フッ化ビニリデンと、トリフルオロエチレン又はテトラフルオロレチレンとの共重合体を含む強誘電性高分子膜の製造方法であって、前記共重合体からなる薄膜を一軸延伸することにより一軸延伸膜を形成し、この一軸延伸膜を構成する前記共重合体の分子鎖を、この分子鎖の配向方向に拡散移動させることにより、前記分子鎖同士の絡み合いを実質的に除去することを特徴とする、強誘電性高分子膜の製造方法。

IPC (7件)：

B29C 55/04 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/26 ,  B29K 27:12 ,  B29L 7:00 ,  B29L 11:00

FI (7件)：

B29C 55/04 ,  H01L 37/02 ,  B29K 27:12 ,  B29L 7:00 ,  B29L 11:00 ,  H01L 41/22 C ,  H01L 41/08 H

Fターム (8件)：

4F210AA16 ,  4F210AE10 ,  4F210AM27 ,  4F210AR06 ,  4F210QC01 ,  4F210QG01 ,  4F210QG18 ,  4F210QW05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電性高分子単結晶、その製造方法、およびそれを用いた圧電素子、焦電素子並びに非線形光学素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-173921   出願人：山形大学長