半導体受光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-095709
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290022
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】応答歪の少ない半導体受光素子を提供する。【解決手段】 n-InP基板7上に、不純物を有する光吸収再結合層12と,バリア層11と、光吸収層4と,窓層3とを配置し、窓層3の所定の領域にZnを拡散させた光吸収層4に達する深さのドーピング領域5を設けた構造とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板と、該基板上に順次配置された、該半導体基板よりもバンドギャップエネルギーの小さい、不純物を有する半導体層からなる光吸収再結合層,及び該光吸収再結合層よりもバンドギャップエネルギーの大きい第1導電型半導体層からなるバリア層と、該バリア層上に配置された、バンドギャップエネルギーが上記光吸収再結合層以上であるとともに上記バリア層より小さい、アンドープ半導体層からなる光吸収層と、該光吸収層上に配置された、該光吸収層よりもバンドギャップエネルギーの大きいアンドープ半導体層からなる窓層と、該窓層上面の所定の領域に設けられた、上記光吸収層に達する深さを備えた第2導電型不純物を有するドーピング領域を備えたことを特徴とする半導体受光素子。

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-042975
特開平4-026166
特開平4-011787

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審査官引用 (11件)

特開平4-042975
特開平4-042975
特開平4-026166

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