特許
J-GLOBAL ID：200903005728097865

半導体装置の製造方法

発明者：
定榮 正大

定榮 正大 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-322201
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093565
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 アッシング工程において発生する金属汚染を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、チャンバー20内に配置された半導体基板20上に形成されている有機膜に対して、酸素を含むガスよりなるプラズマを用いてアッシングを行なうと共に、チャンバー20の内壁に炭素を含む材料よりなる炭素含有膜26aを形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
チャンバー内に配置された基板上に形成されている有機膜に対して、酸素を含むガスよりなるプラズマを用いてアッシングを行なうと共に、前記チャンバーの内壁に炭素を含む材料よりなる炭素含有膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/027 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065
FI (4件)：
H01L21/30 572A ,  G03F7/42 ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/302 104H
Fターム (17件)：
2H096AA25 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F046MA12 ,  5F046MA13
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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