特許
J-GLOBAL ID：200903005750954704
半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
板垣 孝夫
, 森本 義弘
, 笹原 敏司
, 原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-287045
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103648
出願日： 2006年10月23日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】封止済基板10などの半導体装置集合体を切断して半導体装置を製造する際に、その切断対象となる半導体装置集合体に対して押圧力を発生させて安定して半導体装置集合体を切断できる半導体装置の製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体10を、保持用治具19により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断用治具48により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、保持用治具19と切断用治具48と切断対象の半導体装置集合体10とを内包する密閉室58と、この密閉室28内に高圧気体を供給する気体供給手段37と、密閉室58内を大気圧よりも大きい圧力に制御する制御手段とを備え、密閉室58内を高圧にして、半導体装置集合体10を保持用治具19に押圧する力を増加させた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、前記保持用治具と切断用治具と切断対象の半導体装置集合体とを内包する密閉室と、この密閉室内に高圧気体を供給する気体供給手段と、密閉室内を大気圧よりも大きい圧力に制御する制御手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061BA03
, 5F061CA21
, 5F061CB13
