特許

J-GLOBAL ID：200903005757576977

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 兵間 政浩 ,  田辺 慎一
出願人/特許権者： 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-309740
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135250
出願日： 2007年11月30日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：

【課題】半導体基板に発生する結晶欠陥を検出する工程を有する半導体装置の製造技術において、半導体装置の生産性を向上させる方法の提供。【解決手段】P型のP基板1pの主面f1上にダイオードPND2を形成し、そのダイオードPND2に逆方向電圧を印加したときの電気特性を検査することで、P基板1p内の結晶欠陥を検出する。この欠陥を検出するためのダイオードPND2は、P基板1pの主面f1に分離部2を形成することで活性領域actを規定した後に、活性領域actの一部の主面f1にN型のN領域N1を形成し、そのN領域N1を含む活性領域actの主面f1を覆うようにして、酸素および窒素を含む界面緩衝膜BFを形成し、続いて、P基板1pおよびN領域N1に電気的に接続するように、それぞれ、アノード導電部EA2およびカソード導電部EC1を形成することで形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

(a)第1導電型の半導体基板を準備する工程と、 (b)前記半導体基板上に、検査素子を形成する工程と、 (c)前記検査素子の電気特性を検査する工程とを有し、 前記(b)工程において、前記検査素子を形成する工程は、 前記半導体基板の主面に分離部を形成することで、活性領域を規定する工程と、 前記活性領域の一部に、前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型の第1半導体領域を形成する工程と、 前記第1半導体領域を含む前記活性領域を覆うようにして、窒素および酸素を含む第1絶縁膜を形成する工程と、 前記半導体基板に電気的に接続する第1導電部と、前記第1半導体領域に電気的に接続する第2導電部とを形成する工程とを有し、 前記第1絶縁膜と前記半導体基板との界面は、酸化シリコン膜と前記半導体基板との界面よりも、界面準位が少なく、 前記(c)工程では、前記第1導電部および前記第2導電部を介して前記検査素子に逆方向電圧を印加したときの電気特性を検査することにより、前記半導体基板内の結晶欠陥を検出し、 前記逆方向電圧とは、前記検査素子において、前記半導体基板と前記第1半導体領域との間の空乏層を広げるように、前記第1導電部と前記第2導電部との間に印加する電圧であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (2件)：

H01L21/66 N ,  H01L21/66 Y

Fターム (8件)：

4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106AB11 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA01 ,  4M106CB19 ,  4M106DH16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• X線分析装置、X線分析方法、及び表面検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-285449   出願人：日立ハイテク電子エンジニアリング株式会社
• 半導体装置の検査装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-327167   出願人：株式会社日立製作所