特許

J-GLOBAL ID：200903005764009522

トンネル接合膜

発明者： 小林 伸聖 ,  大沼 繁弘 ,  増本 健
出願人/特許権者： 財団法人電気磁気材料研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-275666
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057381
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】本発明は、欠陥が少なく、且つ安定で薄いトンネル絶縁層を有するトンネル接合膜を提供することを目的とする。【解決手段】 上部磁性層と下部磁性層とそれに挟まれた絶縁層からなり、トンネル型の磁気抵抗効果を示すトンネル接合膜において、絶縁層がMgF2、CaF2、SrF2、BaF2のフッ化物絶縁体からなり、且つ結晶相であることを特徴とするトンネル接合膜。

請求項（抜粋）：

上部磁性層と下部磁性層と、それらに挟まれた絶縁層とからなるトンネル型の磁気抵抗効果を示すトンネル接合膜において、該絶縁層がフッ化物絶縁体からなり、且つ結晶相であることを特徴とするトンネル接合膜。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01L 21/203 S ,  G01R 33/06 R

Fターム (13件)：

2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA02 ,  5D034BA15 ,  5D034CA04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD27 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL20