特許

J-GLOBAL ID：200903005788156577

基準電圧用半導体装置

発明者： 浜口 正直
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017837
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335122
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【課題】 温度特性がフラットで低電圧の基準電圧を発生する基準電圧用半導体装置を得る。【解決手段】 ディプレッションタイプのMOSトランジスタ101とエンハンスメントタイプのMOSトランジスタ102とをそれぞれ直列に接続し、第1の電圧供給端子103を、上記ディプレッションタイプのMOSトランジスタのドレインに設け、第2の電圧供給端子104を、上記エンハンスメントタイプのMOSトランジスタのソースに設け、上記ディプレッションタイプのMOSトランジスタのゲートを第2の電圧供給端子104に接続し、上記エンハンスメントタイプのMOSトランジスタのゲートとドレインを接続し、出力端子105をエンハンスメントタイプのMOSトランジスタ102のゲートとドレインの接続点に設けることで、温度特性がフラットで、かつ、低電圧の基準電圧を発生する。

請求項（抜粋）：

同一導電型のディプレッションタイプのMOSトランジスタと少なくとも1個のエンハンスメントタイプのMOSトランジスタとをそれぞれ直列に接続し、第1の電圧供給端子を、前記ディプレッションタイプのMOSトランジスタのドレインに設け、第2の電圧供給端子を、前記エンハンスメントタイプのMOSトランジスタのうちの一つのトランジスタのソースに設け、前記ディプレッションタイプのMOSトランジスタのゲートを第2の電圧供給端子に接続し、前記エンハンスメントタイプのMOSトランジスタのゲートとドレインをそれぞれ接続し、出力端子を前記エンハンスメントタイプのMOSトランジスタのゲートとドレインの接続点に設けた事を特徴とする基準電圧用半導体装置。

IPC (3件)：

G05F 3/24 ,  H02J 1/00 306 ,  H03K 19/0948

FI (3件)：

G05F 3/24 B ,  H02J 1/00 306 B ,  H03K 19/094 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-029718
  
• 定電圧回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-023705   出願人：三星電子株式会社