特許
J-GLOBAL ID:200903005861839238
電子部品内蔵モジュールおよび電子部品内蔵モジュールの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (11件):
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-055922
公開番号(公開出願番号):特開2007-234930
出願日: 2006年03月02日
公開日(公表日): 2007年09月13日
要約:
【課題】2次実装リフローでの熱履歴によりチップ部品のリフトが生じ、電子部品内蔵モジュールの信頼性を損ねることがあった。【解決手段】電子部品内蔵モジュール10は、樹脂配線基板11と、樹脂配線基板11の表面に搭載される複数の電子部品15,15,...と、各電子部品15を樹脂配線基板11に電気的に接続する半田22と、各電子部品15および半田22を封止する封止樹脂21とを備えている。そして、封止樹脂21の平均線膨張係数αが17×10-6以上110×10-6/°C以下であり、平均線膨張係数αはその樹脂のガラス転移温度と、ガラス転移温度以下の線膨張係数α1と、ガラス転移温度以上の線膨張係数α2と、室内の温度と、リフロー時のピーク温度とを用いて算出される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
リフローにより実装基板に実装される電子部品内蔵モジュールであって、
配線基板と、
前記配線基板の表面に搭載された複数個の電子部品と、
前記複数個の電子部品のそれぞれを前記配線基板の表面に電気的に接続する半田と、
前記配線基板の表面に設けられ、前記電子部品および前記半田を封止する封止樹脂とを備え、
以下の数式1を用いて算出された前記封止樹脂の平均線膨張係数αが、17×10-6/°C以上110×10-6/ °C以下であることを特徴とする電子部品内蔵モジュール。
α={α1×(Tg-Tr)+α2×(Tp-Tg)}/(Tp-Tr)・・・数式1
ここで、数式1において、
α1;ガラス転移温度以下の温度における前記封止樹脂の線膨張係数の値
α2;ガラス転位温度以上の温度における前記封止樹脂の線膨張係数の値
Tg;前記封止樹脂のガラス転移温度
Tr;室内温度
Tp;前記リフローにおけるピーク温度、である
IPC (3件):
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 25/00
FI (2件):
H01L23/30 R
, H01L25/00 B
Fターム (7件):
4M109AA01
, 4M109BA04
, 4M109CA12
, 4M109EA02
, 4M109EA10
, 4M109EB12
, 4M109EC04
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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