特許

J-GLOBAL ID：200903005873569287

研磨方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 中村 賢朗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-149156
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340871
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 貴金属膜をシリコン酸化膜に対して選択的に研磨することを可能とする。【解決手段】 接続用電極11を有する下地上に開口部14を有するシリコン酸化膜13を形成する工程と、この上にキャパシタの下部電極となる貴金属膜15を形成する工程と、酸化剤を少なくとも含む酸性のスラリーを用いた化学的機械的研磨法によりシリコン酸化膜13をストッパーとして貴金属膜15を研磨することにより、開口部14内に貴金属膜15を選択的に残置させる工程と、開口部14内に残置した貴金属膜15上及びシリコン酸化膜13上にキャパシタの誘電体膜16を形成する工程と、この誘電体膜16上にキャパシタの上部電極となる導電体膜17を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜上に形成された貴金属膜を酸化剤を少なくとも含む酸性のスラリーを用いた化学的機械的研磨法により前記シリコン酸化膜に対して選択的に研磨することを特徴とする研磨方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S ,  B24B 37/00 H ,  H01L 27/10 621 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-268160   出願人：三菱電機株式会社
• 強誘電体キャパシタ製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-203401   出願人：三星電子株式会社