特許

J-GLOBAL ID：200903005879088914

pチャネルMOSFETの製造方法

発明者： 梶田 陽子 ,  井田 次郎
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206002
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226649
出願日： 1991年08月16日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 埋め込みチャネルの浅接合化を図りながら、基板濃度プロファイルの変化を緩やかにすることができ、短チャネル効果を抑制しながら、駆動力の低下の少ないpチャネルMOSFETを得る。【構成】 埋め込みチャネルを形成しているpチャネルMOSFETの製造方法において、閾値電圧コントロール用不純物としてBF2 + イオンをゲート下の浅い領域にイオン注入して、p型不純物領域3を形成し、次いで、短チャネル効果抑制用不純物としてP+ イオンをイオン注入して、n型不純物領域4を形成する。その後、多結晶シリコンゲート電極5、ソース・ドレイン領域6を形成し、配線を施す。

請求項（抜粋）：

埋め込みチャネルを形成しているpチャネルMOSFETの製造方法において、(a)閾値電圧コントロール用不純物としてBF2 + イオンをゲート下の浅い領域にイオン注入する工程と、(b)短チャネル効果抑制用不純物としてP+ イオンをイオン注入する工程とを施すことを特徴とするpチャネルMOSFETの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-065374
  
• 特開平2-203566
  
• 特開昭49-051879