イオン注入装置、イオン発生装置および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-105528
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003881
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】イオン注入の打ち分けの工程を簡略化できるイオン注入方法を提供すること。【解決手段】半導体基板1の上方に開口部を有する導電性マスク2を配置し、この導電性マスク2を介して半導体基板1の表面にイオンを注入し、イオン注入層4を形成する。イオン注入の打ち分けを行う場合には、各イオン注入毎にそれ専用の導電性マスク2を用いて必要なイオン注入層4を形成する。

請求項（抜粋）：

被処理基体から離間して配置され、開口部を有する導電性マスクと、この導電性マスクを介して前記被処理基体にイオンを注入するイオン注入手段とを備えていることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (3件)：

H01L 21/266 , H01J 37/317 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 21/265 M , H01J 37/317 Z , H01L 21/265 603 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

イオン注入方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-015700 出願人：株式会社日立製作所
特開昭58-106822
特開昭49-024577

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