半導体装置の作製方法及び半導体処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-301172
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260436
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路等の半導体素子の作製において、清浄度の高いプロセスを得るための作製装置(システム)を提供する。【構成】半導体素子の作製に供する複数の真空装置(成膜装置、エッチング装置、熱処理装置、予備室等)を有するマルチチャンバー・システムにおいて、少なくとも1つはレーザー照射装置であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

レーザー光または強光を照射する装置と、その他の真空処理装置をいずれも少なくとも1つ有する半導体処理装置において、前記その他の真空処理装置の1つにおいて処理された基板を、外気にさらすことなくレーザー処理装置に移送し、レーザー処理をおこなうことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/268 , H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (18件)

特開平2-257619
特開平4-240733
特開平2-239615

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