半導体ウエハの化学的処理方法および装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉昭治 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-515144
公開番号（公開出願番号）：特表2000-501231
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】化学物質クリ-ニング流体、洗浄流体、乾燥窒素ガスの源より導かれた複数の流体開口部を備えた上方プレ-トおよび下方プレ-トを有する閉鎖されたチャンバを含む半導体ウエハ製品の処理方法および処理装置である。上部プレ-トは上方表面が洗浄された後にウエハを保持するためのチャックとして働き、あるいはウエハの下方表面の洗浄を良好にするべく回転あるいは振動する。処理方法はウエハ上部の化学的洗浄を行い、次いで、ウエハが下方プレ-ト表面に極めて近接する場合に、適当な化学物質を下方プレ-トの中央から周縁に向かって圧送することで、外方に向かって移動する流体がウエハをカバ-すると共に、かつ節約しながら用いることができる。化学物質が周縁に向かって流れる時に、補助開口部から圧送される追加の化学物質によって、強さが一新される。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ(12)を化学的に処理する装置であって、 (a)その中において半導体ウエハが処理される少なくとも一つのチャンバを有し、 (b)該チャンバは該チャンバ内で下方作業面(20)を決定する部位を有する底部(14)を有し、該下方作業面には少なくとも一つの中央底部流体流入開口部(26)と該中央底部流体流入開口部を囲む複数の補助底部流体流入開口部(28)とが形成されており、該中央流体流入開口部と複数の補助流体流入開口部は該下方作業面を貫通して該チャンバと流体連通しており、処理流体を該チャンバ内に導入するようになっており、 (c)該チャンバは該チャンバ内で該下方作業面より上方に間隔を存して配設された上方作業面を決定する部位を有する頂部(22)を有し、該上部作業面は少なくとも一つの中央頂部流体流入開口部(34)を有し、該頂部流体流入開口部は上方作業面を貫通して導管に及んでいると共に、該チャンバと流体連通しており、処理流体を該チャンバ内に導くようになっており、 (d)該チャンバは該上方作業面と該下方作業面との間で半導体ウエハを支持する手段を有し、該半導体ウエハは (i)半導体ウエハの上方表面と上方作業面との間、 (ii)半導体ウエハの下方表面と下方作業面との間、 (iii)半導体ウエハの上方および下方の表面と上方作業面および下方作業面との間のいずれかにおいて0.005乃至10.0mmの薄い空間が形成されるように位置決めされ、 (e)該チャンバは該半導体ウエハを囲繞する側壁(16)を有し、 (f)該チャンバは該流入開口部の外方の位置において処理流体を回収すると共に該処理流体を該チャンバ外へと導く排出システム(24、25)を有することを特徴とする処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 648 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/304 648 Z , H01L 21/306 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-304636
特開平1-114043
ウエ-ハ洗浄方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-350420 出願人：株式会社エンヤシステム, 川崎製鉄株式会社

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