特許

J-GLOBAL ID：200903005889251317

半導体集積回路装置

発明者： 瀧澤 登
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 香
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301847
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127249
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 静電破壊に強い半導体集積回路装置を実現する。【解決手段】電源ライン38+39,58+59の異なる複数の内部回路34,54間で信号を送受する半導体集積回路装置10において、電源ライン間に保護回路70,80を設けるに際してp型・n型の異種領域に分散して形成することで(71+72,81+82)、特性の異なる素子の協働によって種々のサージノイズから適切に保護するとともに、レイアウト設計も楽になる。また、p型・n型の領域が近いところ32+51,31+52にブロック間保護回路を形成することで、配線を短くするとともに、配線の引き回し等の設計負担も軽くする。さらに、入出力回路用の環状領域31,32,51,52を利用して楽にブロック間保護回路を形成する。

請求項（抜粋）：

電源ラインの異なる複数の内部回路間で信号を送受する半導体集積回路装置において、それらの電源ラインに導通する保護回路が、p型半導体領域に形成された整流素子とn型半導体領域に形成された整流素子との並列回路を含んでいることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/861

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 29/91 K

Fターム (9件)：

5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH12 ,  5F038CA03 ,  5F038CD02 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ08 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-135372   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体集積回路装置の静電気破壊保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-152324   出願人：日本モトローラ株式会社