特許

J-GLOBAL ID：200903007162477544

半導体集積回路装置の静電気破壊保護回路

発明者： 関根 聡 ,  西川 一郎 ,  日笠 大介 ,  中島 望
出願人/特許権者： 日本モトローラ株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-152324
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022617
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 如何なる静電放電状態においても破壊保護が可能な半導体集積回路装置の静電気破壊保護回路を提供することを目的とする。【構成】 ドレイン端子及びソース端子が夫々電源供給ラインの高電位側及び低電位側に接続されているNチャネルFETと、ソース端子及びドレイン端子が夫々電源供給ラインの高電位側及び低電位側に接続されているPチャネルFETとからなる一対のFETを各入出力バッファの間に設ける。

請求項（抜粋）：

複数の能動回路素子及び受動回路素子が半導体基板上に形成されている回路構成部と、前記回路構成部を環状に包囲する導電性の高電位側電源供給ラインと、前記回路構成部を環状に包囲する導電性の低電位側電源供給ラインと、複数の入出力バッファが配置されているバッファ領域とを備えた半導体集積回路装置の静電気破壊保護回路であって、ドレイン端子及びソース端子が前記高電位側電源供給ライン及び前記低電位側電源供給ラインに夫々接続されているNチャネルFETと、ドレイン端子及びソース端子が前記高電位側電源供給ライン及び前記低電位側電源供給ラインに夫々接続されているPチャネルFETとからなる一対のFETが前記バッファ領域内に配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の静電気破壊保護回路。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/04 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-043468
  
• 特開昭58-157155
  
• 特開昭62-224043
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-124793   出願人：日本電気株式会社