特許

J-GLOBAL ID：200903005900292233

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 中山 武志 ,  寺田 康 ,  二ツ谷 知士 ,  小林 真一 ,  宮脇 好和
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285989
公開番号（公開出願番号）：特開平5-128880
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 外部印加ワード線電位が電源電圧よりも低い場合でも外部印加ワード線電位を正確にワード線に与えて、メモリセルのしきい値電圧を正確に読み出す。【構成】 ロウデコーダ回路13(13a〜13d)とワード線WLの間にワード線電位を制御するトランジスタ31〜34を接続し、このゲートをテストモード制御回路19の出力を受けて高電圧スイッチ回路21から出力される信号VPPTESTにより制御する。そして、高電圧制御回路20の出力VPPWLの電位は電源電圧より高い電圧になっているため、電源から出力VPPWLへの貫通電流は流れない。

請求項（抜粋）：

通常動作モード以外にテストモードを有する不揮発性半導体記憶装置において、ロウデコーダ回路とワード線との間に、テストモード動作時にワード線の電位を外部から制御するワード線電位制御手段を設けたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 29/00 303

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-231500
  
• 特開平3-113800
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-240040   出願人：富士通株式会社