特許
J-GLOBAL ID：200903005907200830
磁気抵抗効果素子薄膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-026379
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244476
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 人工格子構造を有する磁気抵抗効果素子薄膜において、磁気抵抗変化率を大きくする。【構成】 磁性層と非磁性層をオングストロームオーダーの膜厚で交互に積層した人工格子構造を有する磁気抵抗効果素子薄膜において、磁性層が垂直磁気異方成を持つ垂直磁化膜であることを特徴とする。このような構成にすると、磁場がないときと磁場をかけ強磁性層の磁気モーメントをそろえたときの磁性層と非磁性層界面における電子の散乱能の差が大きくなるために磁気抵抗変化率を大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
磁性層と非磁性層を交互に積層した人工格子構造を有する磁気抵抗効果素子薄膜において、磁性層が垂直磁気異方性を持つ垂直磁化膜であることを特徴とする磁気抵抗効果素子薄膜。
IPC (2件)：
引用特許：
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