特許

J-GLOBAL ID：200903005910618323

半導体装置およびその製造方法

発明者： 本間 一郎 ,  渡辺 啓仁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-254104
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097879
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】蓄積電極の機械的強度を増大させると共に、蓄積電極の縮小化が容易になるキャパシタ構造の製造方法を提供する。【解決手段】容量絶縁膜を介して下部容量電極と上部容量電極とが対向するキャるキャパシタを備えた半導体装置であって、前記下部容量電極が、一定の高さを有する導電体支柱と、前記導電体支柱の所定の高さに位置する側壁に接続し横方向に鍔状に伸び且つその端部が曲折し縦方向に伸びている導電層とで構成され、前記上部容量電極が、前記下部容量電極の表面に被着する容量絶縁膜を介して前記下部容量電極と対向して設けられる。

請求項（抜粋）：

容量絶縁膜を介して下部容量電極と上部容量電極とが対向するキャパシタを備えた半導体装置であって、前記下部容量電極が、一定の高さを有する導電体支柱と、前記導電体支柱の所定の高さに位置する側壁に接続し横方向に鍔状に伸び、その端部で曲折し縦方向に伸びる導電層とで構成され、前記上部容量電極が、前記下部容量電極の表面に被着する容量絶縁膜を介して前記下部容量電極と対向して設けられてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子の構造および半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-053933   出願人：日本電気株式会社