特許
J-GLOBAL ID：200903005962950458

垂直磁気記録媒体とその製造方法

発明者：
及川 忠昭

及川 忠昭 について

, 
上住 洋之

上住 洋之 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (2件)： 山口 巖 ,  松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-067755
公開番号（公開出願番号）：特開2008-226416
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】低Ku層として用いる軟磁性層を、安定かつ高性能に作製することができ、磁化の熱的安定化と、磁気ヘッドでの書きこみの容易さ、SNRに関して、更なる向上を図った垂直磁気記録媒体とその製造方法を提供する。【解決手段】非磁性基体1上に、少なくとも非磁性下地層2、磁気記録層3、保護層4を順次形成してなる垂直磁気記録媒体において、磁気記録層は、垂直磁気異方性定数(Ku値)が相対的に小さな低Ku層(31)と、Ku値が相対的に大きな高Ku層(32)とからなり、低Ku層は、Co, Ni, Feのいずれかの金属またはそれらの合金を主体とする強磁性体に、窒素元素を添加した鉄族元素基微結晶構造からなる軟磁性薄膜であって、かつ面心立方格子または六方細密充填の結晶構造を有する薄膜からなり、この膜面に平行な優先結晶配向面を、面心立方格子構造の場合には(111)面、六方細密充填構造の場合には(002)面とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
非磁性基体上に、少なくとも非磁性下地層、磁気記録層、保護層を順次形成してなる垂直磁気記録媒体において、 前記磁気記録層は、垂直磁気異方性定数(Ku値)が相対的に小さな低Ku層と、前記(Ku値)が相対的に大きな高Ku層とからなり、前記低Ku層は、Co, Ni, Feのいずれかの金属またはそれらの合金を主体とする強磁性体に、窒素元素を添加した鉄族元素基微結晶構造からなる軟磁性薄膜であって、かつ面心立方格子または六方細密充填の結晶構造を有する薄膜からなり、この膜面に平行な優先結晶配向面を、前記面心立方格子構造の場合には(111)面、前記六方細密充填構造の場合には(002)面としたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
IPC (5件)：
G11B 5/667 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/851
FI (5件)：
G11B5/667 ,  G11B5/66 ,  G11B5/64 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851
Fターム (17件)：
5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006BB08 ,  5D006CA03 ,  5D006CA05 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D006FA00 ,  5D006FA09 ,  5D112AA04 ,  5D112AA05 ,  5D112BB05 ,  5D112BB06 ,  5D112BD03 ,  5D112BD08 ,  5D112FA04 ,  5D112FB08
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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