特許

J-GLOBAL ID：200903005973043240

半導体の処理方法

発明者： 松本 智 ,  ハビビ ソヘイル ,  戸塚 正裕 ,  飯田 進也 ,  五十嵐 龍志
出願人/特許権者： 松本 智 ,  ウシオ電機株式会社
代理人 (1件)： 大井 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273122
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115891
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 イオンダメージのない、光による半導体の新しい処理方法を提供することにある。【構成】 臭素および臭素化合物の中から選ばれた少なくとも一種のガスを含む雰囲気の中に半導体を配置し、波長172nmとその近傍の波長を有する紫外線を放射する光源によって前記半導体を照射し、この半導体の表面をエッチング又はクリーニングする処理方法。ここで、前記光源は、キセノンガスを発光成分とする誘電体バリア放電ランプであることが好ましい。また、前記雰囲気に、塩素、塩素化合物、フッ素、フッ素化合物、酸素および酸素化合物の中から選ばれた少なくとも一種のガスが添加されていると更に良い。

請求項（抜粋）：

臭素および臭素化合物の中から選ばれた少なくとも一種のガスを含む雰囲気の中に半導体を配置し、波長172nmとその近傍の波長を有する紫外線を放射する光源によって前記半導体を照射し、この半導体の表面をエッチング又はクリーニングすることを特徴とする半導体の処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (5件)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/26 L ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 化合物半導体の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186566   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-087026
  
• 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-032529   出願人：ウシオ電機株式会社
• 特開平3-291930
  
• 特開平2-069937