特許

J-GLOBAL ID：200903005978771111

MEMS装置およびMEMS装置製造方法

発明者： 鈴木 和拓 ,  西垣 亨彦 ,  小野塚 豊 ,  山田 浩 ,  板谷 和彦 ,  舟木 英之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-215141
公開番号（公開出願番号）：特開2009-045712
出願日： 2007年08月21日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】MEMS装置の製造時において、高温、高電圧をかけずに、少ないダメージで、かつ、低コストで高気密性を実現することのできるMEMS装置を提供すること。【解決手段】MEMS装置1において、SOI基板8に形成されたMEMS部10と、MEMS部10を封止するための蓋部6とを備え、蓋部6には孔部16が設けられ、孔部16は、球体または半球体の形状をした封止材17で封止されていること、を特徴とするMEMS装置。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成されたMEMS部と、 孔部が設けられ、前記MEMS部を封止するための蓋部とを備え、 前記孔部は、球体または半球体の形状をした封止材で封止されていること、 を特徴とするMEMS装置。

IPC (3件)：

B81C 3/00 ,  B81B 3/00 ,  H01L 23/02

FI (3件)：

B81C3/00 ,  B81B3/00 ,  H01L23/02 J

Fターム (6件)：

3C081AA17 ,  3C081BA30 ,  3C081BA33 ,  3C081CA05 ,  3C081DA04 ,  3C081DA22

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体慣性センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-319606   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 陽極接合構造体及びその製造方法並びにこれを利用した光スキャナーの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-051619   出願人：三星電子株式会社