特許

J-GLOBAL ID：200903005985686693

光電変換機能素子およびその製造方法

発明者： 畑中 義式 ,  青木 徹 ,  荒川 篤俊 ,  佐藤 賢次
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-201542
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017747
出願日： 2001年07月03日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 電極とオーミック接触をとれるZnTe系半導体コンタクト層を少なくとも有する積層構造を基体として用いた光電変換機能素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 pn接合を少なくとも有するII-VI族化合物半導体結晶の表面と裏面にそれぞれ電極を設けてなる光電変換機能素子において、n型半導体層とn型電極との間にコンタクト層を有するとともに、前記コンタクト層の少なくとも一部は、In元素をn型不純物として含むn型半導体で構成されるようにした。

請求項（抜粋）：

pn接合を少なくとも有するII-VI族化合物半導体結晶の表面と裏面にそれぞれ電極を設けてなる光電変換機能素子において、n型半導体層とn型電極との間にコンタクト層を有するとともに、前記コンタクト層の少なくとも一部は、In元素をn型不純物として含むn型半導体で構成されることを特徴とする光電変換機能素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/22 ,  H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/22 P ,  H01L 29/46 B

Fターム (19件)：

4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041CA02 ,  5F041CA41 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA72 ,  5F041CA88 ,  5F041CA99