特許
J-GLOBAL ID：200903005992692895

張り合わせ用支持基板およびその作製方法

発明者：
小松 圭

小松 圭 について

, 
森田 悦郎

森田 悦郎 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について

, 
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-192959
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022186
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 研磨量が少なくて済む張り合わせ用支持基板の作製方法を提供する。支持基板の安価な作製法を提供する。Fe汚染がない支持基板・その作製法を提供する。【解決手段】 磁器質ボンディング材で砥粒を結合したビトリファイド研削砥石を準備する。#4000のビトリファイド研削砥石でエッチドウェーハ表面を3μm研削する。研削面のTTVは0.35μmとなる。研削面をさらに7μm鏡面研磨で除去する。TTVは0.40μmとなる。トータルで10μmだけ除去する。または、2軸研削機の1軸にビトリファイド砥石(#4000)を、他の軸にレジノイド砥石(#2000)を装着しておく。エッチドウェーハ表面をビトリファイド砥石で3μm、レジノイド砥石で2〜5μm研削する。さらに、5μmだけ鏡面研磨で除去する。高平坦度(TTVで0.40μm程度)を有する張り合わせSOIの支持基板を得られる。エッチドウェーハの研削・研磨量が少なくなる。安価に作製できる。表面にFe汚染がない。
請求項（抜粋）：
エッチング後の半導体ウェーハの片面を、#2000より高番手の砥粒を有するビトリファイド研削砥石を用いて研削した後、この研削面を研磨した張り合わせ用支持基板。
IPC (4件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 27/12
FI (4件)：
H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 27/12 B
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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