特許

J-GLOBAL ID：200903006003473183

半導体記憶装置及び携帯電子機器

発明者： 岩田 浩 ,  柴田 晃秀
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-397660
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221546
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】 2ビット動作が可能で、微細化が容易な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 半導体記憶装置は、半導体層211上にゲート絶縁膜214を介して形成された単一のゲート電極217の両側に電荷を保持する機能を有するメモリ機能体261,262を備える。メモリ機能体はそれぞれ、電荷蓄積領域250を有する電荷保持膜242を含む。電荷蓄積領域250はチャネル領域273の一部とチャネル領域の両側に配置された拡散領域212,213の一部とに跨って存する。メモリ機能体はゲート絶縁膜と独立してゲート電極の両側に形成されているため、2ビット動作が可能となる。更には、各メモリ機能体はゲート電極により分離されているので書換え時の干渉が効果的に抑制され、また、ゲート絶縁膜を薄膜化して短チャネル効果を抑制することができる。したがってメモリ素子の微細化が容易となる。【選択図】図20

請求項（抜粋）：

半導体層と、 該半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成された単一のゲート電極と、 該ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、 該チャネル領域の両側に配置された拡散領域と、 該ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (3件)：

H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 444A

Fターム (50件)：

5F083EP09 ,  5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP25 ,  5F083EP26 ,  5F083EP64 ,  5F083EP69 ,  5F083ER02 ,  5F083ER11 ,  5F083ER30 ,  5F083FR05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA21 ,  5F083NA01 ,  5F083PR09 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA16 ,  5F101BA19 ,  5F101BA42 ,  5F101BA44 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BA54 ,  5F101BA62 ,  5F101BB04 ,  5F101BC06 ,  5F101BC11 ,  5F101BD30 ,  5F101BD35 ,  5F101BD36 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-110050   出願人：ローム株式会社