特許

J-GLOBAL ID：200903006006392095

半導体キャリアの寿命測定方法及びその装置

発明者： 高松 弘行 ,  森本 勉
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-288392
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128113
出願日： 2002年10月01日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】マイクロ波光伝導減衰法に基づく半導体キャリアの寿命測定において,被測定試料の改質や測定時間の延長を生じさせることなく,高感度で反射マイクロ波の変化を測定すること。【解決手段】半導体(5)の測定部位にパルス光を照射したときにおける,測定部位に照射したマイクロ波の反射波の変化を測定することにより半導体キャリアの寿命を測定する場合において,測定部位近傍に配置した電気光学結晶(6)に測定光(レーザ光)を照射し,その透過光の強度を偏光板(12)に通過させた後に光検出器(13)で検出することにより,マイクロ波の測定部位での反射波の変化による電気光学結晶(6)の屈折率の変化により生じる測定光の偏光度合いの変化を測定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体にパルス光を照射したときにおける,前記半導体の前記パルス光の照射部に照射した所定の測定電磁波の反射波或いは透過波の変化を測定することにより前記半導体のキャリアの寿命を測定する半導体キャリアの寿命測定方法において, 前記半導体における前記パルス光の照射部近傍に配置した電気光学素子に所定の測定光を照射し,該測定光の反射光及び/又は透過光の変化を検出し,その検出結果に基づいて前記半導体のキャリアの寿命を測定することを特徴とする半導体キャリアの寿命測定方法。

IPC (3件)：

H01L21/66 ,  G01N22/00 ,  G01R31/302

FI (4件)：

H01L21/66 M ,  G01N22/00 S ,  G01N22/00 Z ,  G01R31/28 L

Fターム (7件)：

2G132AA00 ,  2G132AF15 ,  2G132AL00 ,  4M106AA01 ,  4M106BA09 ,  4M106CB11 ,  4M106DH11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体評価装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-262517   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 特開昭52-111372