特許
J-GLOBAL ID:200903006040612843
回路基板の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小池 晃
, 伊賀 誠司
, 藤井 稔也
, 野口 信博
, 山口 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-052233
公開番号(公開出願番号):特開2009-212221
出願日: 2008年03月03日
公開日(公表日): 2009年09月17日
要約:
【課題】めっき皮膜が基板から引き剥がれることなく、銅回路と基材の密着の向上した良好な回路基板を製造することを目的とする。【解決手段】絶縁樹脂13からなる基材上に、下地めっき皮膜14aを形成する一次めっき処理を工程と、この一次めっき処理工程にて形成された下地めっき皮膜14b上に、当該下地めっき皮膜14bよりも膜厚の厚い厚付けめっき皮膜14bを形成する二次めっき処理工程とを備え、一次めっき処理工程では、二次めっき処理工程において形成される厚付けめっき皮膜14bの内部応力の向きと異なる向きの内部応力を有する下地めっき皮膜14aを形成させる無電解めっき浴を用いてめっき処理を行う。【選択図】図2
請求項(抜粋):
絶縁樹脂基材上に、無電解めっき法によってパターンを形成する回路基板の製造方法において、
上記絶縁樹脂基材上に、下地めっき皮膜を形成する一次めっき処理工程と、
上記一次めっき処理工程にて形成された下地めっき皮膜上に、該下地めっき皮膜よりも膜厚の厚いめっき皮膜を形成する二次めっき処理工程とを有し、
上記一次めっき処理工程では、上記二次めっき処理工程において形成されるめっき皮膜の内部応力の向きと異なる向きの内部応力を有する下地めっき皮膜を形成させる無電解めっき浴を用いることを特徴とする回路基板の製造方法。
IPC (5件):
H05K 3/18
, H05K 3/24
, H05K 3/22
, H05K 1/09
, C23C 18/52
FI (5件):
H05K3/18 E
, H05K3/24 A
, H05K3/22 Z
, H05K1/09 C
, C23C18/52 B
Fターム (29件):
4E351AA03
, 4E351AA04
, 4E351BB01
, 4E351BB33
, 4E351BB38
, 4E351CC07
, 4E351CC22
, 4E351DD04
, 4E351GG14
, 4E351GG20
, 4K022AA13
, 4K022AA42
, 4K022BA08
, 4K022BA35
, 4K022BA36
, 4K022DA01
, 4K022EA01
, 5E343AA16
, 5E343AA17
, 5E343AA18
, 5E343BB16
, 5E343BB24
, 5E343BB71
, 5E343CC71
, 5E343CC78
, 5E343DD33
, 5E343DD34
, 5E343ER33
, 5E343GG02
引用特許:
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