特許

J-GLOBAL ID：200903006065168697

強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法

発明者： 中田 正文 ,  柘植 久尚 ,  塚本 雄二 ,  松寺 久雄 ,  石綿 延行 ,  上條 敦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-298567
公開番号（公開出願番号）：特開平11-134620
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 磁界測定時のノイズの小さい強磁性トンネル接合素子センサを実現する。【解決手段】 基板11上に形成された下電極12、下地層13の上に、適当な大きさ形状にパターン化された第1の反強磁性層14、フリー磁性層15を積層し、トンネルバリア層層16、固定磁性層17、第2の反強磁性層18の5層構造が積層された構造である。第2の反強磁性層の上には上電極19が設けられている。

請求項（抜粋）：

第一の反強磁性層、フリー磁性層、トンネルバリア層、固定磁性層、第二の反強磁性層が順次積層され、第一の反強磁性層の交換結合磁界によりフリー磁性層の磁気異方性がトラック幅方向に向き、第二の反強磁性層の交換結合磁界により固定磁性層の磁気異方性がMR高さ方向に向くことを特徴とする強磁性トンネル接合素子センサ。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01L 43/08 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-331922   出願人：株式会社東芝