特許

J-GLOBAL ID：200903079450644227

磁気抵抗効果素子

発明者： 岩崎 仁志 ,  大沢 裕一 ,  近藤 玲子 ,  橋本 進 ,  澤邊 厚仁 ,  上口 裕三 ,  佐橋 政司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-331922
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186374
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、軟磁気特性が良好で抵抗変化率△R/Rが充分なスピンバルブ構造の膜または人工格子膜を有し、高感度の磁気ヘッドに適用が可能である磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に、少なくとも強磁性膜、非磁性膜、および強磁性膜が順次積層されてなる積層膜を具備した磁気抵抗効果素子であって、2つの前記強磁性膜はそれぞれ信号磁界が印加されてもその磁化方向が実質的に保持される磁化固着膜、および信号磁界により磁化が変化して信号磁界を検出する磁界検出膜であり、信号磁界零の場合における2つの前記強磁性膜の磁化方向が互いに略直交しており、かつ、信号磁界方向にセンス電流を通電することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも強磁性膜、非磁性膜、および強磁性膜が順次積層されてなる積層膜を具備した磁気抵抗効果素子であって、2つの前記強磁性膜はそれぞれ信号磁界が印加されてもその磁化方向が実質的に保持される磁化固着膜、および信号磁界により磁化が変化して信号磁界を検出する磁界検出膜となり、信号磁界零の場合における2つの前記強磁性膜の磁化方向が互いに略直交しており、かつ、信号磁界方向にセンス電流を通電することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08