特許
J-GLOBAL ID：200903006067994098
ドライエッチング方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-317534
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150102
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 フルオロカーボンを用いることなくシリコンやシリコン酸化物またはタンタルやタンタル酸化物をエッチングできるようにする。【解決手段】 エッチング装置10の放電部14には、処理ガス供給部12が接続してある。処理ガス供給部12は、大気圧の四フッ化炭素ガスと酸素ガスとをフッ素ガス生成部20に導入して高周波電源30の電圧を印加して放電させ、フッ素ガス34を生成して放電部14に供給する。放電部14は、ブロック電極38と接地電極50との間に高周波電源42による高周波電圧が印加され、プラズマ生成領域52、54に供給された大気圧のフッ素ガスを介して放電し、放電により生じたプラズマなどの活性種をワーク58に照射してエッチングする。
請求項（抜粋）：
大気中またはその近傍の圧力下のフッ素ガスまたはフッ化水素ガス中で放電させて活性種を生成し、生成した活性種をシリコンまたはシリコン化合物もしくはタンタルまたはタンタル化合物と接触させることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 E
, H01L 21/302 B
