特許
J-GLOBAL ID：200903006075053804

多層金属ポリマ構造を使用するRFトランス

発明者：
パーシー ビー チノイ

パーシー ビー チノイ について

, 
デービット エリオット ノートン

デービット エリオット ノートン について


出願人/特許権者：
ザ ウィタカー コーポレーション

ザ ウィタカー コーポレーション について


代理人 (1件)： 日本エー・エム・ピー株式会社
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-517392
公開番号（公開出願番号）：特表2000-508116
出願日： 1996年10月21日
公開日（公表日）： 2000年06月27日
要約：
【要約】コイル間の誘導性結合を増加すると同時にトランスのコイル間の容量性結合を低減する、コイル間に配置された誘電体材料と多層薄膜構造とを有する高周波用トランス。ガラスサブストレート201は、その上に被着形成された第1金属スパイラル301を有し、ポリマ絶縁体層601がその上に配置され第1金属スパイラルを包囲する。第2金属スパイラル701がポリマ層上に被着形成され、プロセスは次のポリマ材料の層へと継続する。異なる層の金属スパイラルの相互接続は、バイア902を有する選択的にエッチングされた溝を用いて行う。本発明は特にバルントランスに好適である。ポリマBCBを誘電体として使用することにより、マイクロウェーブ及びRF周波数を吸収することによる損失を極めて低くすると共に、この絶縁体はデバイスの各層間の誘導性結合を増加し容量性結合を大幅に低減する優れた特性を有する。
請求項（抜粋）：
サブストレート、該サブストレート上に被着形成された第1金属スパイラル、前記サブストレート及び前記第1金属スパイラス上に被着形成された誘電体材料層、及び該誘電体層上に被着された第2金属スパイラルを含み、前記第1及び第2金属スパイラルは電気的に接続され、 前記誘電体層はポリマ絶縁体層であることを特徴とするトランス。
IPC (2件)：
H01F 17/00 ,  H01F 19/00
FI (2件)：
H01F 17/00 B ,  H01F 19/00 Z
引用特許：
審査官引用 (3件)

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