特許
J-GLOBAL ID：200903006099197645
量子ドット型光検知器及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-042733
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205397
出願日： 2007年02月22日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】感度を向上させることができる量子ドット型光検出器及びその製造方法を提供する。【解決手段】中間層4上に、InAsからなる複数の量子ドット5が形成されている。中間層4上で量子ドット5の間の領域には、真性AlAsからなるAlAs層6が形成されている。AlAs層6の厚さは、量子ドット5の高さよりも小さい。更に、量子ドット5上に、真性AlSbからなるAlSb層7が量子ドット5の表面に倣って形成されている。また、AlAs層6及びAlSb層7を覆う中間層4が形成されている。この中間層4も真性GaAsからなる。量子ドット5、AlAs層6、AlSb層7及びこれらを覆う中間層4から光吸収単位層が構成されている。そして、このような光吸収単位層が更に9層積層されている。従って、総計で10層の光吸収単位層が設けられている。なお、薄いAlAs層6が量子ドット5とAlSb層7との間に介在していてもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の中間層と、
前記第1の中間層上に形成された量子ドットと、
前記量子ドットの側面のうちで少なくとも前記第1の中間層と接する部分を覆う第1のキャップ層と、
前記量子ドットの、少なくとも前記第1のキャップ層により覆われていない部分を覆う第2のキャップ層と、
前記第1及び第2のキャップ層の上から前記量子ドットを覆う第2の中間層と、
を有し、
前記第1のキャップ層と前記第1の中間層との間の格子定数の差が、前記第1のキャップ層と前記量子ドットとの間の格子定数の差よりも小さく、
前記第2のキャップ層と前記第1の中間層との間の格子定数の差が、前記第2のキャップ層と前記量子ドットとの間の格子定数の差よりも大きいことを特徴とする量子ドット型光検知器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F049MA20
, 5F049MB07
, 5F049NA01
, 5F049NB05
, 5F049PA01
, 5F049PA05
, 5F049PA14
, 5F049QA11
, 5F049QA16
, 5F049QA20
, 5F049SE09
, 5F049SE11
, 5F049SS04
, 5F049SZ20
, 5F049WA01
出願人引用 (1件)
-
赤外線センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-051221
出願人：富士通株式会社
審査官引用 (1件)
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-022350
出願人：富士通株式会社
引用文献：
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