特許
J-GLOBAL ID：200903006100352293
GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-334956
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163529
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】透光性電極の酸化を防止し、経時的に安定した発光パターン及び低駆動電圧を得ること。【解決手段】蒸着により、p+ 層7の表面上に、コバルト(Co)から成る層を形成し、その層上に金(Au)から成る層を形成して、熱処理によりそれら層を合金化することにより透光性電極8Aを形成する。これによりコバルト(Co)上に金(Au)が積層されているので、コバルト(Co)の酸化を阻止でき、透光性電極8Aの接触抵抗を低減させ、透光性を向上できると共に、経時的に安定した発光パターンが得られる。又、コバルト(Co)は仕事関数が大きい元素であるので、良好なオーミック特性が得られる。
請求項（抜粋）：
p型GaN 系化合物半導体層を有する発光素子において、前記p型GaN 系化合物半導体層の電極として、コバルト(Co)合金、又はパラジウム(Pd)、又はパラジウム(Pd)合金から成り、透光性並びにオーミック特性を有する金属層を有することを特徴とするGaN 系化合物半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
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窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-281170
出願人：日亜化学工業株式会社
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