特許
J-GLOBAL ID：200903066580280982
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281170
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129932
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【目的】 発光素子として有用なp層の新規な電極を提供することにより、外部量子効率に優れた発光素子得る。【構成】 p型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層の表面のほぼ全面に、少なくともパラジウム(Pd)を含む透光性の電極が形成されているので、透光性電極を通して発光が観測でき、外部量子効率が向上する。
請求項（抜粋）：
p型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層の表面のほぼ全面に、少なくともパラジウム(Pd)を含む透光性の電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
