特許
J-GLOBAL ID：200903006105670706
III-V族化合物半導体の成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350259
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168050
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 大型の III族元素の窒化物結晶を容易に成長させることができ、かつ欠陥密度の少ない良質な窒化物結晶を安全に成長できる III-V族化合物半導体の成長方法を提供する。【解決手段】 III族元素3を加熱、融解した融液中に、窒素原子を含有するガスgを注入すると共に種結晶5を浸漬させ、その種結晶5上に III族元素の窒化物結晶を成長させる III-V族化合物半導体の成長方法において、ガスgの気泡の通過領域tの周囲に発生する III族元素3の窒化物の過飽和溶解領域k内に、種結晶5を配置させて III族元素3の窒化物結晶を成長させる。
請求項（抜粋）：
III族元素を加熱、融解した融液中に、窒素原子を含有するガスを注入すると共に種結晶を浸漬させ、該種結晶上に III族元素の窒化物結晶を成長させる III-V族化合物半導体の成長方法において、上記ガスの気泡の通過領域の周囲に発生する上記 III族元素の窒化物の過飽和溶解領域内に、上記種結晶を配置させて上記 III族元素の窒化物結晶を成長させることを特徴とする III-V族化合物半導体の成長方法。
Fターム (15件)：
5F053AA48
, 5F053AA50
, 5F053BB04
, 5F053BB05
, 5F053BB13
, 5F053BB38
, 5F053BB57
, 5F053DD20
, 5F053FF01
, 5F053GG01
, 5F053HH04
, 5F053HH05
, 5F053LL01
, 5F053RR03
, 5F053RR20
